人民網上海8月22日電 （葛俊俊） 今年7月15日，《中共中央國務院關於支持浦東新區高水平改革開放打造社會主義現代化建設引領區的意見》正式發布，要求浦東在集成電路、生物醫藥、人工智能三大產業，打造世界級產業集群，打造“自主創新發展的時代標杆”“建設國際科技創新中心核心區”。

8月22日，由上海自貿區年輕科創企業中天弘宇自主研發、國際首創先進存儲技術在浦東發布。上海市、浦東新區等相關部門，國際半導體協會等行業組織出席。

該技術運用“二次電子倍增注入浮柵”的物理現象，創造性地對閃存存儲進行了重構，初步構建了擁有國內、國際完整自主知識產權專利的系列新型高性能快閃存儲器產品，“在非易失存儲領域屬國際首創技術”。該項發明成果已在中、日、美、韓和中國台灣地區申請了成體系的原創性發明專利，其中多項核心專利已獲批，專利體系化建設在不斷完善之中。

中國工程院院士倪光南視頻致辭

中國工程院院士倪光南在視頻致辭中指出，該技術是一項重大發明，實現了中國存儲器底層技術零的突破，希望企業與集成電路行業企業一起發奮努力，設計創新更多自主原創的產品，提高自主原創存儲器的市場份額。

“當前正處於集成電路發展的黃金時期，浦東涌現出了很多自主創新、敢於創新的優秀企業。”浦東新區副區長吳強指出，在搶佔科技競爭和未來發展的制高點，浦東正全力加速發展，也希望向全球展示浦東的創新氛圍和肥沃土壤。

中天弘宇董事長張佳致辭

中天弘宇董事長張佳回顧了企業進入集成電路行業七年來的奮斗歷程，對方方面面給予的支持表示感謝。中天弘宇副總裁、CTO聶虹介紹了“二次電子倍增注入浮柵”的原理及重大意義，以及與傳統技術的區別及優勢，並對未來技術及產品的發展規劃做了介紹。

圓桌論壇

當天，新思科技中國董事長兼全球資深副總裁葛群、國際半導體產業協會中國區總裁居龍、南芯半導體市場總監劉崇和資深工藝專家官浩等，共同研討了國內先進存儲技術和產業化進展狀況，針對產業鏈融合、工藝實現、市場推廣、融資策略等方面，提出了真知灼見。

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