9.15秒僅漏一個電子，有望破解“算力能耗”“內存牆”難題

上海研發新型二維半導體芯片

上海校企聯合團隊近日在二維半導體領域取得重大突破，成功研發出迄今泄漏電流最低的二維半導體晶體管，並基於此打造出一款新型存儲芯片。

芯片的核心元件晶體管，好比控制電流的“智能水龍頭”。傳統硅基芯片發展至今，晶體管尺寸逼近物理極限，“水龍頭關不緊”的漏電問題日益突出，制約著人工智能等領域的算力提升。作為芯片“記憶核心”的DRAM（動態隨機存取）存儲器，需頻繁充電刷新以維持數據，是能耗主要來源。

針對這一行業痛點，復旦大學聯合上海原集微科技、長鑫存儲等單位組建攻關團隊，實現了創紀錄的超低泄漏電流，相當於9.15秒僅泄漏一個電子，在此基礎上打造的新型DRAM存儲芯片，在零保持電壓下實現了超過8500秒的超長數據保持時間，同時兼顧高速讀寫與多容量存儲能力，大幅降低能耗的同時性能不打折。

這項技術的落地應用前景廣闊。在移動設備、物聯網終端等場景下，該存儲芯片可顯著延長續航時間，在人工智能算力中心，整體能耗也能大幅降低。更關鍵的是，這一獨特優勢可為存內計算架構提供硬件支撐，破解數據搬運效率低的“內存牆”難題。目前，該技術正加速推進與現有半導體工藝的兼容適配，為產業化落地鋪路。

這項突破展現出上海在二維半導體領域“產學研用”協同創新的成熟生態——從高校原創技術攻關，到本土企業推動工程化轉化，再到龍頭企業協同驗証，形成閉環創新體系。

（來源：解放日報 記者 查睿）

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